此產(chǎn)品是1200V300A的三相全橋大功率全SiC-MOS模塊，基于行業(yè)成熟通用封裝形式，采用真空焊片焊接工藝降低焊接空洞率；采用氮化硅陶瓷DCB，保證高絕緣強度的情況下，大幅提高模塊導熱性，提高可靠性。1200V電壓等級，滿(mǎn)足新能源領(lǐng)域電機驅動(dòng)的使用。
模塊的外形圖
功率端子壓焊工藝，降低引線(xiàn)電感，增強過(guò)流能力
SiC-MOS器件，高壓大電流應用，提升系統效率
采用SiN基板，較傳統Al2O3基板具有更強的散熱能力與機械特性
高效外部散熱結構，增大散熱面積
